特許

J-GLOBAL ID：200903014671638987

ショットキーバリアダイオード

発明者： 碓氷 康典 ,  大田 剛志 ,  小谷 俊幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-067958
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264811
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 この発明は、順方向電流を増大させ、製造工程を容易にしたショットキーバリアダイオードを提供することを目的とする。【構成】 この発明は、半導体基板上に第1導電型の低濃度の第1の半導体層が凹凸状に形成され、前記第1の半導体層の凸部上面に第1導電型の高濃度の第2の半導体層が選択的に形成され、前記凹部及び凸部の表面に障壁金属が形成されて構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1導電型の低濃度の第1の半導体層が凹凸状に形成され、前記第1の半導体層の凸部上面に第1導電型の高濃度の第2の半導体層が選択的に形成され、前記凹部及び凸部の表面に障壁金属が形成されてなることを特徴とするショットキーバリアダイオード。