特許
J-GLOBAL ID：200903014674943772
真空装置およびそれを用いた薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-208685
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342761
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】薄膜形成速度、薄膜の構成成分の比率などを精密に、かつ再現性良く制御することができ、優れた品質の各種の薄膜を得る。【構成】反応室を、真空排気装置に接続した真空容器中に設置する。反応室には基板支持部、基板加熱部、原料導入部およびコンダクタンス(真空排気抵抗)可変の排気孔を設ける。排気孔のコンダクタンスを調整して、真空容器内あるいは真空容器と真空排気装置との接続部の少なくとも1部分に、反応室への原料供給時でも圧力が常に10~3Pa以下となる部分を構成する。この部分に質量分析計または真空計を設置し、反応室中のガス成分、ガス量または圧力を、測定したデータから見積もる手段を設ける。薄膜形成時には、反応室中のガス成分、ガス量または圧力を連続的にモニタし、所望の値となるように制御しながら、薄膜の形成を行う。
請求項（抜粋）：
少なくとも基板支持部、基板加熱部および原料導入部を有し、かつ反応室の真空排気量を自在に調節可能とした排気孔を有する反応室を、真空排気装置に接続した真空容器内に設置して、上記反応室の排気孔が真空容器内で連通する構成となし、上記反応室の排気孔の真空排気量を調整して、真空容器内もしくは真空容器と真空排気装置の接続部近傍の少なくとも1部分の圧力が、反応室への原料供給時においても常に10~3Pa以下となる部分を構成し、該部分に質量分析計を設置して、反応室内のガス成分またはガス量を、質量分析計設置部と反応室との圧力差の関係および上記質量分析計で測定した分析データから見積る手段を少なくとも備えたことを特徴とする真空装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
