特許
J-GLOBAL ID：200903014677008470
半導体回路パタンの設計方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164918
公開番号（公開出願番号）：特開2000-352809
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】 応答曲面関数を用いたバラツキ解析手法をリソグラフィプロセスのラインパタン設計に適用する際に、応答曲面関数によるラインパタンの仕上がり線幅CD特性の予測精度を改善し、CDバラツキ解析および半導体回路パタン設計の信頼性を向上させる。【解決手段】 マスクパタンの線幅寸法を応答曲面関数を用いて設計する方法であり、リソグラフィ工程の目標とする設計寸法に対して、該当するパタンの両側に隣接するスペース幅寸法及びリソグラフィ工程における露光条件とを変数として、これらの変数を第1と第2の変数の組に分け、第1の変数の組に関する多項式関数を作成した後、第2の変数の組に関して多項式関数の線形結合形により応答関数を作成した後、マスクパタンの両側に隣接するスペース幅寸法並びに露光条件の中の1つ以上の条件にバラツキを与えて応答関数に代入することにより、該当パタンの線幅寸法のバラツキを評価する。
請求項（抜粋）：
マスクパタンの線幅寸法を、リソグラフィ工程の目標とする設計寸法に対して、該当するパタンの両側に隣接するスペース幅寸法及びリソグラフィ工程における露光条件とを変数として、前記変数を第1と第2の変数の組に分け、前記第1の変数の組に関する多項式関数を作成した後、第2の変数の組に関して前記多項式関数の線形結合形により応答関数を作成する工程と、マスクパタンの線幅寸法と該当パタンの両側に隣接するスペース幅寸法並びにリソグラフィ工程における露光条件の中の1つ以上の条件にバラツキを与えて前記応答関数に代入することにより、該当パタンの線幅寸法のバラツキを評価する工程とを備えたことを特徴とする半導体回路パタンの設計方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 G
2H095BB01
, 2H095BB31
, 5F046AA25
