特許

J-GLOBAL ID：200903014677613781

不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法

発明者： 伊原 英雄
出願人/特許権者： 経済産業省産業技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006995
公開番号（公開出願番号）：特開2001-247311
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月11日
要約：

【要約】【目的】超伝導異方性が小さく、高い臨界電流密度(Jc)と、大きい不可逆磁界(Hirr)、擬等方的な、層に垂直方向(この方向をc軸方向、層面内をab軸とする)の長いコヒーレンス長ξc をもち、且つ超伝導臨界温度( Tc ) が例えば100K以上の高温超伝導体を提供する。【解決手段】電荷供給層と超伝導層の2次元的な層状構造をもつ高温超伝導体において、電荷供給層を構成する原子の一部を超伝導性をもつ原子と置き換えて電荷供給層を金属化若しくは超伝導化すると共に、超伝導層の厚さを大きくして超伝導異方性を低くしたことを特徴とする低異方性高温超伝導体。

請求項（抜粋）：

2次元的な層状構造をもつ超伝導体が組成式Cu<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>(Ba<SB>1-y</SB>Sr<SB>y</SB>)<SB>2</SB>(Ca<SB>1-z</SB>L<SB>z</SB>)<SB>n-1</SB>Cu<SB>n</SB>O<SB>2n+4-w</SB> (式中、M=Tl,L=Li,Na,Y,ランタニド系列元素の一元素又は複数元素、0 <x < 0.7, 0≦y ≦1, 0≦z ≦1, 0≦w ≦4, 3≦n ≦16)で記述できる銅酸化物超伝導体である低異方性高温超伝導体。

IPC (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C23C 14/08 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (6件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C23C 14/08 L ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 不確定性原理に基づく低異方性高温超伝導体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-044521   出願人：工業技術院長