特許
J-GLOBAL ID：200903014681241660
青色半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242514
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 新しい化合物半導体材料を用いた輝度の高い青色半導体発光素子を実現する。【解決手段】 化合物煩瑣材料を用いた青色半導体発光素子において、n型GaN層171上にGaAlN系材料からなるn型層172とp型層173を積層して形成されたpn接合発光部と、この発光部のp型層173上にメサ状に形成されたp型コンタクト層174と、このp型コンタクト174層上に形成されたp側電極175と、n型GaN層171に直接接触して形成されたn側電極176とを備えている。
請求項（抜粋）：
n型GaN層上にGaAlN系材料からなるn型層とp型層を積層して形成されたpn接合発光部と、この発光部のp型層上に形成されたp型コンタクト層と、このp型コンタクト層上に形成されたp側電極と、前記n型GaN層に直接接触して形成されたn側電極とを具備してなることを特徴とする青色半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 29/46 H
