特許

J-GLOBAL ID：200903014686333155

エンハンスされた相互コンダクタンスを持つパワーMOSドライバデバイスを有するサーマルインクジェットプリントヘッド

発明者： ウイリアム・ジー・ホーキンス ,  キャシー・ジェイ・バーク
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-161863
公開番号（公開出願番号）：特開平6-143574
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年05月24日
要約：

【要約】【目的】 ドライバブレークダウン電圧を犠牲にすることなく縮小した寸法と増大した相互コンダクタンスを有するフィールドプレーテッド型パワーMOSドライバの改良を提供する。【構成】 ドリフト領域(150)およびこれに付随するドリフト酸化物(151)の製造はデバイスのチャネル停止部(124)およびフィールド酸化物の製造とは独立した工程で実行し、ドリフト酸化物(151)の厚みを変化させることによってドリフト領域(150)を最適化する。電界密度を減少してデバイスのブレークダウン電圧を増加させるためにフィールドプレート(152)を用いることで、ドリフト領域(150)のドーピングを増加させてブレークダウン電圧の付随的減少なしにデバイスの相互コンダクタンスを増加する。

請求項（抜粋）：

次のものを含む、小型高電圧用MOS型トランジスタ:平坦な表面を有するシリコン基板;前記基板表面に隣接して前記基板内に形成されたドープされたソース領域およびドープされたドレイン領域およびこれらの間に位置するチャネル領域;前記ソース領域および前記ドレイン領域の間に配置され前記ドレインの接触領域と隣接するドープされたドリフト領域とを有し、これにより前記ドリフト領域と前記ソース領域の間の距離で前記チャネル領域を形成し、前記ドリフト領域は第1のドーピングレベルを有し、前記ソース領域および前記ドレイン領域は第2のドーピングレベルを有し、前記ドリフト領域の第1のドーピングレベルは前記ソースおよびドレイン領域の第2のドーピングレベルより少なくされているもの;更に、前記基板表面で前記ソース、ドレイン、ドリフト、およびチャネル領域上に存在して変化する厚みを有し、前記ドリフト領域上の一部分が前記チャネル領域上の厚みとは異なる厚みを有するようにしてある絶縁層;及び所定の寸法および抵抗を有し、前記絶縁層上に存在し前記ドリフトおよびチャネル領域上で位置を合わせしてある単層多結晶シリコン層とを有し、前記ドリフト領域上の前記多結晶シリコン層の一部分がフィールドプレートとして機能し、前記多結晶シリコン層の前記チャネル領域上の一部がゲートとして機能することによって、ブレークダウン電圧を減少することなくトランジスタの相互コンダクタンスを増加するもの。

IPC (4件)：

B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  B41J 2/16 ,  H01L 49/00

FI (2件)：

B41J 3/04 103 A ,  B41J 3/04 103 H