特許

J-GLOBAL ID：200903014688463323

半導体ウェハの処理温度測定方法及び温度測定手段を備える半導体ウェハ

発明者： 角田 茂 ,  尾形 潔 ,  加藤 久幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-196266
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016117
出願日： 2000年06月26日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】RTAプロセスの採用により、時間変化するウェハ温度面内分布を測定する必要がある。しかしながら、従来の方法では精度良く測定することができなかった。【解決手段】半導体ウェハに薄膜状の温度測定素子を備えることにより、リアルタイムで時間変化するウェハ温度面内分布を測定することができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの一部または全面に薄膜状の熱電対と信号取り出しパッドを備えることを特徴とした半導体ウェハ。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01K 13/00 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

H01L 21/66 T ,  G01K 13/00 ,  H01L 21/02 B

Fターム (8件)：

2F056WA01 ,  4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB12 ,  4M106AD01 ,  4M106BA14 ,  4M106CA70 ,  4M106DH15