特許
J-GLOBAL ID：200903014698713875
ECRスパッタリング装置及び透明導電膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-073608
公開番号（公開出願番号）：特開2007-247008
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：
【課題】従来のECRスパッタリング装置においては、真空チャンバーへのマイクロ波の導入に、真空窓やスロットアンテナとそれに適合した磁石配置を用いているため大型化は困難である。また、従来のマグネトロンスパッタリング法により酸化亜鉛の透明導電膜を形成する場合、低抵抗化のためには基板加熱を行い、非形成面をターゲット面からずらした位置で成膜を行うことなどが必要であり生産性が低い。【解決手段】従来のマグネトロンスパッタリング法と同様な磁石構成のECRスパッタリング装置において、真空チャンバーへのマイクロ波の放射を金属棒から成るアンテナによって行ことにより、大型化が容易である。特に、酸化亜鉛にアルミウムなどを添加した焼結体ターゲットを用いて、プラズマ照射効果が得られるようなターゲット-基板間距離や適当なスパッタリング条件を設置することにより低抵抗な透明導電膜を高い生産性で製造することが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
真空装置内において、真空チャンバー内へマイクロ波を放射し、NまたはS極の磁化方向の永久磁石を中央に配置し、周囲はその逆の磁化方向の永久磁石で囲んだマグネトロン型磁気回路により電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマを生成し、このプラズマ内に配置されたターゲットに直流または交流電圧を印加することによりスパッタリングを行うために、均一にマイクロ波を放射するためにマイクロ波導入用同軸管の心線と垂直に接続した金属棒から成るアンテナを用いることを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C 14/35
, C23C 14/08
, H01B 13/00
C23C14/35 F
, C23C14/08 C
, H01B13/00 503B
4K029AA09
, 4K029BA49
, 4K029BC09
, 4K029CA05
, 4K029DC05
, 4K029DC48
, 5G323BA02
, 5G323BB05
