特許

J-GLOBAL ID：200903014701218155

半導体装置及びその製造方法

発明者： 星野 和弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008477
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204644
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線を用いた半導体装置において、Cu配線と接続孔内の金属との異種金属界面を消失させることによりCu配線のEM耐性を向上させる。【解決手段】 絶縁膜12を介して積層されている上層配線14及び下層配線11がCuからなり、該上層配線14及び下層配線11が接続孔hに充填された金属で接続されている半導体装置の製造方法において、下層配線11、その上の絶縁膜12及び接続孔hを形成後、該接続孔hをのCu中に拡散し得る金属(例えば、Ti、Zr、Ta、Sn、Mg、Mo及びHf等)で充填し、次いで上層配線14を形成し、熱処理により、上層配線14及び下層配線11のCuと接続孔h内に充填した金属とを合金化させる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜を介して積層されている上層配線及び下層配線がCuからなり、該上層配線及び下層配線が接続孔に充填された金属で接続されている半導体装置において、接続孔に充填された金属がCu中に拡散し得る金属からなり、かつ、上層配線及び下層配線のCuと接続孔内に充填された金属とが合金化していることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 M