特許

J-GLOBAL ID：200903014705038810

半導体装置の製造方法

発明者： 望月 康弘 ,  村上 進
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050718
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】大口径半導体基板ウエハを用いた低コストの製造プロセスと素子特性を両立させる。【解決手段】半導体基板1上で、素子の導通領域となる部分のみ局所的に凹溝を設け実質的に厚みを薄くする。ウエハ周辺部やペレタイジング領域は所定の厚みを確保してプロセス時のウエハの変形や割れ等の障害を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の相対する二つの主表面間に少なくとも一つのpn接合を有し、主電流を上記半導体基板の一つの上記主表面上の電極から上記pn接合を通して相対する他の上記主表面上の上記電極に向かって流す半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの主表面に凹部を設けることにより主電流の導通領域の上記半導体基板の厚みを実質的に低減させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/329 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 29/91 B ,  H01L 21/304 301 S ,  H01L 29/74 B