特許
J-GLOBAL ID：200903014706854050

発光素子

発明者：
青木 和夫

青木 和夫 について


出願人/特許権者：
株式会社光波

株式会社光波 について


代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-213530
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032857
出願日： 2004年07月21日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 出射面の反対側に進んだ光を効率良く反射し、発光効率を上げることができるようにした発光素子を提供する。【解決手段】 発光素子10は、β-Ga2O3単結晶からなるn型の導電性を示すGa2O3基板11上に、GaNバッファ層12、n-GaNクラッド層13、多重量子井戸構造(MQW)を有するInGaN発光層14、p型の導電性を示すp-AlGaNクラッド層15、およびp-GaNコンタクト層16が積層され、Ga2O3基板11の下面の複数箇所に部分的に形成された複数のn電極18と、n電極18が設けられていない部分に発光光を反射する反射層19を形成する。InGaN発光層14からGa2O3基板11に向かった光は、反射層19およびn電極18で反射する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光透過性および導電性を有する基板の第1の面上に発光層を成長させた発光素子において、 前記基板の前記第1の面に対向する第2の面に部分的に形成されたオーミック電極と、 前記基板の前記第2の面の前記オーミック電極が形成されていない領域に形成された光反射層とを備えたことを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (2件)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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