特許

J-GLOBAL ID：200903014712124314

バイポーラトランジスタ、半導体装置、及びその製造方法

発明者： 近藤 茂樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295921
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 バイポーラトランジスタのベース幅を非常に狭く設定することを可能とする。【構成】 絶縁面上の半導体層の横方向にエミッタ、ベース、及びコレクタの各領域が形成されたバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース・エミッタ接合面109及び前記ベース・コレクタ接合面108′の少なくとも一方の接合面が前記半導体層表面に対して実質的に垂直でない。

請求項（抜粋）：

絶縁面上の半導体層の横方向にエミッタ、ベース、及びコレクタの各領域が形成されたバイポーラトランジスタにおいて、前記ベース・エミッタ接合面及び前記ベース・コレクタ接合面の少なくとも一方の接合面が前記半導体層表面に対して実質的に垂直でないことを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 29/72 ,  H01L 27/06 321 E