特許
J-GLOBAL ID：200903014715670042
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265661
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106310
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 工程数を減少させて、選択比も向上させることができるドライエッチング方法を提供する。【構成】 光感光性樹脂をマスク材15として被エッチング材12をドライエッチングして微細加工を行なうドライエッチング方法において、例えば電極材にSiN等の窒化物を用いることによりドライエッチングを行いつつマスク材の表面に耐イオン衝撃性の高い耐イオン改質層17を形成する。これにより、従来方法において必要とされたシリル化処理等の前処理を不要にすることが可能となる。
請求項（抜粋）：
パターン形成されたレジスト膜等の光感光性樹脂をマスク材として被エッチング材をドライエッチングして微細加工を行なうドライエッチング方法において、前記マスク材の表面に耐イオン改質層を形成しつつ前記被エッチング材をドライエッチングすることにより微細加工を行なうように構成したことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, C23F 1/00 101
