特許
J-GLOBAL ID：200903014719279801
LEDアレイ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
塩入 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-215840
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037027
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】 LEDアレイへの高密度ボンディングを可能にする。【構成】 シリコン基板にエピタキシャル成長でGaAs層を形成してLEDアレイとし、GaAs層表面に電極を形成し、この電極をシリコン基板まで引き出して外部接続する。
請求項（抜粋）：
GaAsとは異なる材質から成る異種基板上に、発光層のGaAs層をエピタキシャル成長させたLEDアレイにおいて、上記GaAs層の表面に電極層を形成し、かつ該電極層を前記異種基板上に引出し、ここで外部接続することを特徴とする、LEDアレイ。
IPC (6件)：
H01L 33/00
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, H04N 1/036
, H04N 1/04 101
