特許
J-GLOBAL ID:200903014725766935

半導体パッケージ用基板及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-346192
公開番号(公開出願番号):特開2003-152133
出願日: 2001年11月12日
公開日(公表日): 2003年05月23日
要約:
【要約】【課題】高密度化及び低コスト化対応の半導体パッケージ用基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体パッケージ用基板は、ランド21と半田バンプ用端子22とがビアホール31にて電気的に接続された両面配線板10上に形成された絶縁樹脂層41内のランド21から絶縁樹脂層41表面に向かって導通リード51a及び導通リード51aの終端に接続端子51bが形成されたもので、作製法としては、例えば、絶縁基板11の両面にランド21及び半田バンプ用端子22が形成された両面配線板10のランドか21からワイヤ51を所定角度で張り巡らし、絶縁樹脂層41を形成した後絶縁樹脂層41表面上のワイヤ51を切断し、表面研磨を行って、絶縁樹脂層41内に導通リード51a及び絶縁樹脂層41表面に接続端子51bを形成した半導体パッケージ用基板100を得る。
請求項(抜粋):
一方の面に半導体チップを実装するための接続端子を、他方の面に基板実装するための半田バンプ用端子を備える多層構造のインターポーザ基板であって、絶縁基板の一方の面にランドが、他方の面に半田バンプ用端子が形成された両面板の一方の面の前記ランド上には所定厚の絶縁樹脂層が形成され、前記ランドから前記絶縁樹脂層表面に向かって導通リードが形成されており、前記絶縁樹脂層表面の前記導通リードの終端が接続端子になっていることを特徴とする半導体パッケージ用基板。

前のページに戻る