特許

J-GLOBAL ID：200903014727538549

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 井村 健一 ,  西 邦彦 ,  中村 篤
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-155703
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008186
出願日： 1995年06月22日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 BGA(ボールグリッドアレイ)構造を有するLSIパッケージの熱抵抗の低減、基板の反りの防止、製造歩留まりの向上を図る。【構成】 本発明のLSIパッケージは、プリント配線基板1上に実装した半導体チップ2と、半導体チップ2の上部に配置したヒートスプレッダ11とをモールド樹脂3で封止すると共に、プリント配線基板1の裏面に半田バンプ8を接合したBGA構造を有し、半導体チップ2をTABリード4を介在してプリント配線基板1上に実装し、半導体チップ2とプリント配線基板1との間および半導体チップ2とヒートスプレッダ11との間にエラストマー10a,10Bを介在させている。

請求項（抜粋）：

プリント配線基板上に実装した半導体チップと、前記半導体チップの上部に配置したヒートスプレッダとをモールド樹脂で封止すると共に、前記プリント配線基板の裏面に半田バンプを接合したボールグリッドアレイ構造のLSIパッケージを有する半導体集積回路装置であって、前記半導体チップをTABリードを介在して前記プリント配線基板上に実装し、前記半導体チップと前記プリント配線基板との間および前記半導体チップと前記ヒートスプレッダとの間にエラストマーを介在させたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/34

FI (3件)：

H01L 23/36 D ,  H01L 23/34 A ,  H01L 23/12 L