特許

J-GLOBAL ID：200903014730479898

誘電体膜および半導体装置

発明者： 大谷 成元 ,  芦田 裕
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199716
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026001
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 BLT膜を使うことにより、Pbを含まない、また同時に大きな反転電荷量QSWを有し、強誘電体キャパシタ絶縁膜を提供する。【解決手段】 BLT膜を等粒状組織を有するように形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された、Laを含む層状Bi酸化物よりなる誘電体膜であって、前記誘電体膜は、前記層状Bi酸化物結晶の集合よりなり、前記層状Bi酸化物結晶は、前記誘電体膜中において等粒状組織を形成することを特徴とする誘電体膜。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 27/105

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  C23C 14/08 K ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (23件)：

4K029AA06 ,  4K029BA13 ,  4K029BA17 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029CA05 ,  5F058AA07 ,  5F058AD10 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34