特許

J-GLOBAL ID：200903014731420064

半導体装置と、その製造方法

発明者： 斉藤 吉三
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-210956
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055454
出願日： 1991年08月22日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 三次元IC構造デバイスを提供する。【構成】 上面側に集積回路が形成されたベース用基板と、基板上にエッチングストップ層とデバイス動作層が形成され、当該デバイス動作層およびその上面に集積回路が形成されると共に、上記基板がその周辺部の連続する少なくとも2辺で残存されるように裏面から選択的に除去されてベース用基板より大きな凹部が形成された載置用基板とを備える。そして、凹部にベース用基板が没入されて一体構造をなし、ベース用基板の所定の電極位置と対応して載置用基板のエッチングストップ層とデバイス動作層にはスルーホールが形成される。

請求項（抜粋）：

上面側に半導体集積回路が形成されたベース用基板と、基板上にエッチングストップ層とデバイス動作層が形成され、当該デバイス動作層およびその上面に半導体集積回路が形成されると共に、前記基板がその周辺部の連続する少なくとも2辺で残存されるように裏面から選択的に除去されて前記ベース用基板より大きな凹部が形成された載置用基板とを備え、前記凹部に前記ベース用基板が没入されて一体構造をなし、前記ベース用基板の所定の電極位置と対応して前記載置用基板の前記エッチングストップ層と前記デバイス動作層にはスルーホールが形成され、このスルーホールにはコンタクトメタルが埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。