特許
J-GLOBAL ID：200903014731789521
半導体ウェハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336984
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201745
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】(0001)面サファイア基板の成長面を傾斜することによって、GaNエピタキシャル結晶の純度及び結晶性を大幅に向上し、かつ高濃度p型GaNをアズグロウンの状態で得る。【構成】サファイア単結晶基板の(0001)面を<21* 1* 0>方向もしくは<011* 0>方向に数度傾けて鏡面研磨することにより、微傾斜(0001)面サファイア単結晶基板4とする。微傾斜(0001)面5には多くのステップ6が存在する。このためステップ端を基点としたGaNエピタキシャル結晶2のステップフローモード成長が容易に実現する。その結果、結晶欠陥が大幅に低減する。
請求項（抜粋）：
(0001)面を<21* 1* 0>(以下、1* は上にバーの付いた1を意味する。)方向もしくは<011* 0>方向に微傾斜した鏡面を有するサファイア結晶基板の微傾斜(0001)面上に、窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、またはこれらの混晶のp型、n型、またはi型薄膜の単層もしくは多層の結晶が積層されている半導体ウェハ。
IPC (2件)：
引用特許：
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