特許

J-GLOBAL ID：200903014732983941

半導体装置

発明者： 鈴村 正彦 ,  高野 仁路 ,  岸田 貴司 ,  白井 良史 ,  早崎 嘉城 ,  鈴木 裕二
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-019029
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223878
出願日： 1997年01月31日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積の増大を招くことなく、光起電力を低下させずに入射光を受光することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体基板としての単結晶シリコン基板1の一主表面上に絶縁膜としての酸化膜2を介して化合物半導体基板としてのGaAs基板3が接合されており、単結晶シリコン基板1には受光素子4が形成され、GaAs基板3には発光素子5が形成されている。

請求項（抜粋）：

受光素子が形成されて成る単結晶シリコン基板と、発光素子が形成され、該半導体基板の一主表面上に絶縁膜を介して接合された化合物半導体基板とを有して成り、前記発光素子からの入射光を前記受光素子で受光するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/15 ,  H01L 27/12 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/12

FI (5件)：

H01L 27/15 D ,  H01L 27/15 T ,  H01L 27/12 B ,  H01L 31/12 B ,  H01L 27/14 Z