特許
J-GLOBAL ID：200903014734065818
量子デバイスおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-336157
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188432
出願日： 1992年12月16日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 細線を容易に形成する。【構成】 Si酸化膜5上に形成された結晶性Si細線9、10を細線間絶縁膜11を介して上下に2段以上重ねる。
請求項（抜粋）：
絶縁膜上に形成された結晶性Si層からなる細線を細線間絶縁膜を介して上下に2段以上重ねた構造を有していることを特徴とする量子デバイス。
IPC (2件)：
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