特許
J-GLOBAL ID：200903014734324252
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
清水 守 (外1名)
, 清水 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037307
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249555
出願日： 1994年03月08日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 熱歪みによる影響を低減し、プロセスの制御性を良くし、歩留まりの高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】 異種半導体基板を直接接着させることにより作製される半導体装置において、異種半導体基板の内の一方のSi基板1上に形成される化合物半導体の多結晶層からなる歪吸収層2と、この歪吸収層2上に接合されるもう一方の半導体基板であるInP層5/GaInAsP層4が積層された化合物半導体多層基板6とを設ける。
請求項（抜粋）：
異種半導体基板を直接接着させることにより作製される半導体装置において、(a)前記異種半導体基板の内の一方の半導体基板上に形成される化合物半導体の多結晶層からなる歪吸収層と、(b)該歪吸収層上に接合されるもう一方の半導体基板である化合物半導体多層基板とを有する半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/324
, H01L 33/00
, H01S 3/18
