特許

J-GLOBAL ID：200903014739339932

インダクタンス素子及びその製造方法

発明者： 山田 盛一 ,  安保 多美子 ,  佐藤 斉 ,  川原井 貢
出願人/特許権者： 株式会社トーキン
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-367062
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170708
出願日： 2000年12月01日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：

【要約】【課題】 比較的低温で焼結可能なSrフェライトを有する磁気バイアス方式のインダクタンス素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 磁性層と導電層とを印刷積層法によって積層形成する際に、Srフェライトよりなる永久磁石3を磁性層内に備える。Srフェライトは、10mol%以下のCuOを有しかつBi2O3、B2O3、V2O5、Na2B4O7、H3BO3、及びSiO2の中から少なくとも1種をその総量が重量パーセントで多くとも1%添加されたものとする。

請求項（抜粋）：

磁性層と導電層とを印刷積層法によって積層形成する際に、Srフェライトよりなる永久磁石を前記磁性層に備えたインダクタンス素子において、前記Srフェライトは、10mol%以下のCuOを有しかつBi2O3、B2O3、V2O5、Na2B4O7、H3BO3、及びSiO2の中から少なくとも1種をその総量が重量パーセントで多くとも1%添加されたものであることを特徴とするインダクタンス素子。

IPC (6件)：

H01F 1/34 ,  H01F 27/29 ,  H01F 17/00 ,  H01F 19/08 ,  H01F 41/02 ,  H01F 41/04

FI (6件)：

H01F 1/34 A ,  H01F 17/00 D ,  H01F 19/08 ,  H01F 41/02 G ,  H01F 41/04 B ,  H01F 15/10 C

Fターム (19件)：

5E041AB01 ,  5E041AB19 ,  5E041AC05 ,  5E041HB14 ,  5E041NN02 ,  5E062CC04 ,  5E062CD01 ,  5E062CG01 ,  5E062FF01 ,  5E062FF10 ,  5E070AA01 ,  5E070AB02 ,  5E070AB03 ,  5E070BA12 ,  5E070BB01 ,  5E070BB05 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13 ,  5E070EA01