特許

J-GLOBAL ID：200903014742930609

シリコン鋳造方法

発明者： 川村 律夫 ,  山田 孝幸 ,  浦崎 勇孝
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 生形 元重 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098618
公開番号（公開出願番号）：特開平6-285589
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン鋳塊20からのダミーブロック10の分離を容易にする。【構成】 ダミーブロック10の上面に設けられた凹部13が側方に開くように、ダミーブロック10の一部を分割する。鋳造後にその分割片12,12をダミー本体11から分離して、凹部13内の凝固シリコンと共にシリコン鋳塊20をダミーブロック10から分離する。

請求項（抜粋）：

誘導コイル内に、軸方向の少なくとも一部が周方向に複数分割された導電性の無底るつぼを設置し、該無底るつぼ内でシリコンをるつぼ内壁に対して非接触の状態で電磁誘導により溶解し、その融液を下方へ徐々に引き下げて凝固させる電磁誘導による多結晶シリコンの連続鋳造において、無底るつぼ内の原料シリコンを初期溶解する際に該原料シリコンを支持すると共に、溶解したシリコンを上面の凹部内で凝固させてシリコン鋳塊と結合されることにより、該シリコン鋳塊に懸下力を発生させるダミーブロックとして、上面の凹部が側方へ開放されるように一部を分割した組立式のダミーブロックを使用することを特徴とするシリコン鋳造方法。

IPC (3件)：

B22D 11/00 ,  B22D 11/08 ,  C01B 33/02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-052962
  
• 特開昭53-082622