特許

J-GLOBAL ID：200903014745240700

磁気抵抗効果素子薄膜及びその製造方法

発明者： 上條 敦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-105756
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293611
出願日： 1996年04月25日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 スピンバルブ型磁気抵抗効果素子薄膜において10%を越える磁気抵抗変化率を示す磁気抵抗効果素子薄膜ならびにその製造方法を提供する。【解決手段】 磁性層と非磁性スペーサー層の界面でのスピン依存散乱を大きくするために、飽和磁束密度が1.2テスラ以上、平均結晶粒径が30nm以下の微細結晶粒組織を有するFe基軟磁性層と、Cu、Agまたは微細結晶粒組織を有するCu基合金より選ばれた非磁性スペーサー層より構成され、さらに、磁性層/非磁性スペーサー層界面に、微細結晶粒組織を有するCo基磁性層を挿入した磁気抵抗効果素子薄膜であって、磁場中、-50°C以下の基板温度で成膜する工程と、磁場中で熱処理する工程を具備した磁気抵抗効果素子薄膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

磁性層が、Fe基の結晶質であって、その平均結晶粒径が30nm以下であることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。

IPC (5件)：

H01F 10/14 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (6件)：

H01F 10/14 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 M ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 軟磁性材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-187209   出願人：株式会社東芝
• 磁性体薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-286938   出願人：松下電器産業株式会社