特許

J-GLOBAL ID：200903014749029699

シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： 吉見 雅士 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252495
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】 良好な性能および品質を有する光電変換装置を、簡単な装置により、低コストかつ優れた生産性で製造できるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】 p型半導体層111、i型の結晶質(多結晶、微結晶)光電変換層112およびn型半導体層113が同一のプラズマCVD堆積室2pin内で順に引続いて形成される。このp型半導体層111は堆積室2pin内の圧力が5Torr以上の条件で形成される。これにより、p型半導体層111とi型の結晶質光電変換層112とn型半導体層113とが積層されたシリコン系薄膜光電変換装置が製造される。

請求項（抜粋）：

p型半導体層とi型の結晶質シリコン系光電変換層とn型半導体層との積層構造を有するシリコン系薄膜光電変換装置をプラズマCVD法を利用して製造する方法であって、前記p型半導体層、前記i型の結晶質シリコン系光電変換層および前記n型半導体層が同一のプラズマCVD反応室内で順に引続いて形成され、かつ前記p型半導体層は前記反応室内の圧力が5Torr以上の条件で形成されることを特徴とする、シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。

FI (4件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 W

Fターム (9件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29 ,  5F051DA04 ,  5F051DA15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平4-266067
  
• 特開昭63-240032
  
• 特開昭63-196082
  

審査官引用 (4件)

• 特開平4-266067
  
• 特開昭63-196082
  
• 特開昭63-240032
  
• 特開昭63-196082