特許
J-GLOBAL ID：200903014749262997
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024252
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266319
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：
【要約】【課題】 珪素の結晶化を助長する金属元素を利用した結晶性珪素膜中の金属元素の濃度を減少させる。【解決手段】 石英基板101上に配置された非晶質珪素膜103に対してニッケル元素を導入した後、結晶化のための第1の加熱処理を750°C以上の温度において行う。結晶性珪素膜105を得たら、パターニングを施しパターン106を得る。そして先の加熱処理よりも高い温度で酸化性雰囲気中での加熱処理を行う。この工程において熱酸化膜107が形成される。この際、熱酸化膜107中にニッケル元素のゲッタリングが行なわれる。次に熱酸化膜107を除去する。こうすることで、低い金属元素の濃度で高い結晶性を有する結晶性珪素膜106を得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に非晶質珪素膜を成膜する工程と、前記非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を意図的に導入する工程と、750°C〜1100°Cの第1の加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化させ結晶性珪素膜を得る工程と、前記結晶性珪素膜をパターニングし半導体装置の活性層を形成する工程と、ハロゲン元素を含んだ酸化性雰囲気中で第2の加熱処理を行い前記活性層中に存在する当該金属元素を除去または減少させる工程と、該工程で形成された熱酸化膜を除去する工程と、前記熱酸化膜を除去した後に再度の熱酸化により熱酸化膜を形成する工程と、を有し、前記第2の加熱処理の温度は前記第1の加熱処理の温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 627 G
, H01L 21/20
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 627 F
