特許

J-GLOBAL ID：200903014753391360

半導体装置の製造方法

発明者： 飯尾 弘毅 ,  大場 隆之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-008251
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の製造方法に関し、タングステン膜の特性と膜形成条件との関係を明確にすることにより配線用の低抵抗タングステン膜を再現性良く形成することを目的とする。【解決手段】 タングステンのハロゲン化物、B2H6ガス及びH2ガスを用いて、基板上に、タングステンの(110) 面と(200) 面とによるX線回折強度の比、W(110)/W(200) が1〜8の範囲にあるα結晶相を有するタングステン膜を形成する工程を含むように構成する。

請求項（抜粋）：

タングステンのハロゲン化物、B2H6ガス及びH2ガスを用いて、基板上に、タングステンの(110) 面と(200) 面とによるX線回折強度の比、W(110)/W(200) が1〜8の範囲にあるα結晶相を有するタングステン膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 16/08 ,  C30B 29/02 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 16/08 ,  C30B 29/02 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R