特許
J-GLOBAL ID：200903014758498731
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050694
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【課題】LOCOS素子分離において形成される凹凸が後続の工程に影響を与え、加工性を悪くする。かつ、バーズビークが長くなり素子形成領域が狭くなる。【解決手段】シリコン基板101上に、パッド酸化膜102、シリコン窒化膜103を形成し、その後フィールド酸化膜の形成予定領域を選択的に開口する。次に開口した溝にシリコン酸化膜106を堆積させ、そのシリコン酸化膜をドライエッチングし、側壁107を形成する。次に窒素イオンを注入し、窒素の入ったシリコン酸化膜の側壁107’とシリコン基板領域109を形成する。ついで溝底面をドライエッチングし、浅い溝110を形成する。それからフィールド酸化膜として厚い酸化膜110を形成し、最後に、シリコン窒化膜103と側壁107’をエッチングする。他の実施例として、上記シリコン酸化膜106をポリシリコン酸化膜またはアモルファスシリコン膜としてもよい。
請求項（抜粋）：
フィールド酸化膜を形成する工程において酸化防止膜をパッド酸化膜を介し、シリコン基板上に選択的に設ける工程、前記酸化防止膜が開口された領域のパッド酸化膜を除去する工程、さらにシリコン基板をエッチングし、溝を形成する工程、前記開口部のシリコン基板を酸化しシリコン酸化膜を形成する工程、前記溝に側壁を設ける工程、前記側壁にN(窒素)を斜めからイオン注入する工程、前記溝の底面部のシリコン酸化膜を除去する工程、前記溝の側側壁と前記酸化防止膜をマスクとして酸化を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
