特許

J-GLOBAL ID：200903014758788845

相補型MISトランジスタ装置

発明者： 堅田 満孝 ,  村本 英俊 ,  藤野 誠二 ,  服部 正 ,  安部 克則
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-125606
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299594
出願日： 1992年04月17日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】【目的】 ホットキャリア効果による特性劣化とショートチャネル効果によるしきい値電圧の低下の防止と応答速度の向上を図り素子を微細化する。【構成】 P型ウェル領域11a及びN型ウェル領域11bよりは不純物濃度が高く、ソース及びドレインよりは不純物濃度が低く、ソース及びドレインより拡散領域が横方向に広いN型拡散領域21a,22a,21b,22bの形成された相補型MISトランジスタ装置において、N型拡散領域21a,22a,21b,22bは、横方向に対して絶縁ゲート18の端部直下に広がり、深さ方向に対して、ソース又はドレインの深さより浅く形成されている。N型ウェル領域11bにおけるソース、ドレインの接合容量を小さくでき、応答性が向上する。

請求項（抜粋）：

基板、絶縁ゲート、ソース、ドレインを有し、P型ウェル領域及びN型ウェル領域におけるソース及びドレインを形成する位置において、前記P型ウェル領域及び前記N型ウェル領域よりは不純物濃度が高く、前記ソース及び前記ドレインよりは不純物濃度が低く、前記ソース及び前記ドレインより拡散領域が横方向に広いN型拡散領域の形成された相補型MISトランジスタ装置において、前記N型拡散領域は、横方向に対して前記絶縁ゲートの端部直下に広がり、深さ方向に対して、前記ソース又は前記ドレインの深さより浅く形成されていることを特徴とする相補型MISトランジスタ装置。

FI (2件)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 27/08 321 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-084051
  
• 特開平2-102543
  
• 特開平1-307266
  
• 特開平3-135032