特許

J-GLOBAL ID：200903014759266281

基材上にフィルムを作る方法及び装置

発明者： ジョン マクネイル ,  ロバート ジョン ウィルビー ,  ナット ビークマン
出願人/特許権者： トリコン ホールディングス リミティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010386
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244337
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率でもあるエッチング停止層を提供する。【解決手段】 2つの誘電体層の間に中間エッチング停止層組み込んだ半導体デバイスとする。ここでそれぞれの層の誘電率は3.5未満であり、エッチング停止層は、上側層に対する選択率が少なくとも2.5:1である。窒素でドープされた炭化ケイ素層10を製造する方法及び装置とする。この層は、例えばエッチング停止層として提供する。

請求項（抜粋）：

誘電体積層体に作られたデュアルダマシン構造を有する半導体デバイスであって、前記積層体が、第1の形状でエッチングされた上側層、中間エッチング停止層、及び第2の形状でエッチングされた下側層を含み、前記第2の形状が、前記エッチング停止層を通して前記第1の形状と連続になっており、前記層のそれぞれの誘電率kが3.5以下であり、且つ前記エッチング停止層と前記上側層との選択比が少なくとも2.5:1である、誘電体積層体に作られたデュアルダマシン構造を有する半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 B ,  H01L 21/90 B ,  H01L 21/90 K