特許
J-GLOBAL ID：200903014759497534
光起電力素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-244935
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063221
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、ガラス支持体と透明電極との密着性を向上させることによって、高温高湿環境下への長時間の放置あるいは長時間の紫外線照射によっても光起電力素子の特性(例えば、短絡光電流、光起電力、フィルファクター等)の劣化が従来技術に比べてきわめて少ない光起電力素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、インジウム酸化物層及びインジウム-スズ酸化物層の内の少なくとも1層により形成される透明電極をガラス支持体上に形成して構成される透明電極付き基体に、非単結晶性シリコン系半導体からなるp型層、i型層及びn型層並びに導電層を少なくとも積層した光起電力素子において、インジウム原子が、前記透明電極の形成されている表面から内部に向かって減少するように前記ガラス支持体内に分布していることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
インジウム酸化物層及びインジウム-スズ酸化物層の内の少なくとも1層により形成される透明電極をガラス支持体上に形成して構成される透明電極付き基体に、非単結晶性シリコン系半導体からなるp型層、i型層及びn型層並びに導電層を少なくとも積層した光起電力素子において、インジウム原子が、前記透明電極の形成されている表面から内部に向かって減少するように前記ガラス支持体内に分布していることを特徴とする光起電力素子。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C03C 17/34
, H01B 5/14
