特許
J-GLOBAL ID：200903014759758303
半導体作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-037969
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226374
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板上に形成された非晶質珪素膜上に極薄の酸化膜を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナーを用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、溶液中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。そしてこの結晶性珪素膜を用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜の一方の面に結晶化を助長する触媒元素を導入する工程と、前記非晶質珪素膜の触媒元素が導入された面側に結晶核を形成する工程と、前記非晶質珪素膜の脱水素化を行う工程と、前記非晶質珪素膜の結晶核が形成された面側からレーザー光またはそれと同等の強光を照射し、前記非晶質珪素膜を結晶化する工程と、を有する半導体作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
