特許
J-GLOBAL ID：200903014766508754
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-110887
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306958
出願日： 1995年05月09日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 下地層が導電性およびへき開性を有し、かつGaN、AlNもしくはInNまたはこれらの混晶からなる成長層が下地層とほぼ完全に格子整合した半導体装置を提供することである。【構成】 Alが添加されたp型6H-SiC基板10を用いる。p型6H-SiC基板10の{0001}面上に、p型GaN層21、p型AlGaNクラッド層22、n型InGaN発光層23、n型AlGaNクラッド層24およびn型GaN層25を順に含むGaN成長層20をエピタキシャル成長させる。
請求項（抜粋）：
炭素よりも大きな原子サイズを有する不純物元素が添加された炭化ケイ素からなる下地層上に、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む窒化物半導体からなる成長層が形成されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
