特許

J-GLOBAL ID：200903014768086423

ガスセンサ及びその製造方法

発明者： ヒョン・ス・パク ,  ヒョン・ウ・シン ,  チョル・ハン・ゴン ,  ヒョン・ギ・ホン ,  ドン・ヒョン・ユン ,  ギュ・ゾン・リ ,  ソン・テ・キム
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-300512
公開番号（公開出願番号）：特開平8-278274
出願日： 1995年10月26日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 ヒータと電極との絶縁性を高めてガスセンサの信頼性を向上させることのできるガスセンサ及びその製造方法を提供すること。【構成】 本発明によるガスセンサは、支持膜にパターン溝を形成させ、その溝内にヒータを形成させたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

背面の所定部分がエッチングされた半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、上部にパターン溝を有する支持膜と、前記パターン溝に形成されたヒータと、前記ヒータを覆って形成させた絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を覆って形成させた感知膜とを含んでなるガスセンサ。

FI (2件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M