特許

J-GLOBAL ID：200903014772498701

半導体装置の実装構造

発明者： 塚本 研一 ,  福本 康治 ,  大泉 正恭 ,  浅利 典克 ,  市川 浩
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234446
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074776
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体チップの実装構造を構成簡単にして、製造、組立工程を削減し歩留りの向上、生産コストを低下させることができ、しかも信頼性が高く、小型化が図られた実装構造とする。【構成】 半導体(Si)チップ1の上面1A、並びに、該チップの下面1B及び側面1Cにチップ1と同一の元素(Si)を含有する酸化シリコン(又は窒化シリコン)から成る被覆部3が形成されると共にチップ上面1A側に形成された被覆部3Aの所定位置に半導体チップの電極11に対応して挿通孔3aが設けられ、この挿通孔3aにハンダバンプ2が装着されて半導体装置10の引出し電極が形成される。

請求項（抜粋）：

活性化領域が形成された半導体チップの上面、並びに、該チップの下面及び側面に半導体チップと同一の元素を含有する化合物から成るパッケージ被覆部が形成されると共にチップ上面に形成された被覆部の所定位置に半導体チップの電極に対応して挿通孔が設けられ、この挿通孔にハンダバンプが装着されて引出し電極が形成されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。

IPC (5件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 21/92 C ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 Z