特許

J-GLOBAL ID：200903014779356120

化合物半導体成長用基板

発明者： 大川 和宏 ,  高橋 康仁 ,  萬濃 正也 ,  成沢 忠 ,  大仲 清司 ,  三露 恒男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-079718
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291032
出願日： 1993年04月06日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 II-VI 族化合物半導体から構成されるレーザ素子または発光ダイオード素子の動作電圧を小さくすることのできる基板を提供し、かつその基板の特性が長時間変わらないようにする。【構成】 p型GaAs基板1上に、例えばp型GaInP薄膜3およびp型AlInP薄膜4およびGaAsキャップ層5を順次積層した構造を有するII-VI 族化合物半導体成長用基板である。p型GaAsとp型ZnSeの障壁に比べて、障壁が小さく分割されているために、作製した素子は小さい電圧で動作することが可能となる。さらに、p型AlInP薄膜4の酸化はキャップ層5またはS薄膜6によって防止されているために長時間の保存が可能となる。

請求項（抜粋）：

II-VI 族化合物半導体成長用基板であって、p型GaAs上に、GaAsとの格子不整が±1%以内の格子定数を有するp型III-V族化合物半導体薄膜を1層以上積層し、厚みが1nm以上500nm以下のGaAs薄膜またはGaX In1-X P薄膜(ただし、0.38≦X≦0.65)のいずれかまたは双方をキャップ層として最後に積層した構造を有することを特徴とする化合物半導体成長用基板。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/36 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18