特許
J-GLOBAL ID：200903014780558551
量子干渉素子及びジョセフソン接合の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-112379
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302871
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 酸化物超電導膜を用いた粒界接合型のジョセフソン接合の量子干渉素子及びジョセフソン接合の形成方法を提供する。【構成】 チタン酸ストロンチウム(110)基板上の一部にリソグラフィ技術を用いて選択的に(110)バッファ層を形成し、その上に配向性の異なる超電導膜を選択成長して形成し、その配向性の異なる接合境界に粒界接合からなるジョセフソン接合を形成し、マイクロプロセスとの整合性が良く、かつ電気特性の優れた量子干渉素子及びジョセフソン接合の形成方法を得る。
請求項（抜粋）：
(110)基板と、該(110)基板上の一部に設けられた(110)バッファ層と、前記(110)基板上に設けられ、(11n)面又は(01n)面(n:7又は9)が整合しC軸傾斜配向の第1酸化物超電導膜と、前記(110)バッファ層に設けられ、(001)面が整合しC軸配向の第2酸化物超電導膜と、前記第1及び第2酸化物超電導膜の異なる配向境界に形成された結晶粒界接合部とを備えた量子干渉素子。
IPC (2件)：
H01L 39/22 ZAA
, H01L 39/24 ZAA
