特許
J-GLOBAL ID:200903014781152826

半導体用基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 波多野 久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-178112
公開番号(公開出願番号):特開平5-029507
出願日: 1991年07月18日
公開日(公表日): 1993年02月05日
要約:
【要約】【目的】本発明の目的は、熱伝導性に優れた放熱板を備え、クラックや反りの発生が少なく信頼性が高い半導体用基板を提供することにある。【構成】本発明に係る半導体用基板は、窒化アルミニウム焼結体で形成した多層基板1aと、この多層基板1aに配置した半導体素子3から発生した熱を伝達する放熱板2aとを備えた半導体用基板において、上記放熱板2aはモリブデン板7aの両面にそれぞれ銅板8a,8aを一体に接合した複合材9aで形成したことを特徴とする。またモリブデン板7aおよび各銅板8a,8aの厚さは0.03〜0.3mmの範囲内に設定するとよい。
請求項(抜粋):
窒化アルミニウム焼結体で形成した多層基板と、この多層基板に配置した半導体素子から発生した熱を伝達する放熱板とを備えた半導体用基板において、上記放熱板はモリブデン板の両面にそれぞれ銅板を一体に接合した複合材で形成したことを特徴とする半導体用基板。

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