特許

J-GLOBAL ID：200903014784334739

半導体装置

発明者： 津田 昭仁
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170257
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357699
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】 パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制することにより、TAB実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、絶縁膜11上に形成された、Al合金より変形しにくい金属又は高融点金属シリサイドからなるパッド13,14と、前記パッド13,14の上に形成された、熱圧着によりインナーリードと接合するための金属バンプ19,20と、を具備するものである。前記金属は、Cu、Ta、Co、Ti、W、Mo、Ni又はV等であり、前記高融点金属シリサイドは、WSi、MoSi、NiSi又はVSi等である。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成された、Al合金より変形しにくい金属又は高融点金属シリサイドからなるパッドと、前記パッドの上に形成された、熱圧着によりインナーリードと接合するための金属バンプと、を具備することを特徴とする半導体装置。