特許
J-GLOBAL ID：200903014790578607
フォト・トライアック
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-114507
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315603
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 フォト・トライアックの転流特性を向上させる。【構成】 フォト・トライアックを構成する第1のサイリスタと第2のサイリスタとの間に短絡されたダイオードDを設ける。
請求項（抜粋）：
N型半導体基板の表面に形成されたPNPN接合のチャネルよりなる1対のラテラルサイリスタと、各サイリスタのPNPN接合のチャネル間のN型半導体基板の表面に形成したP型拡散層とその周囲のN型半導体基板とによって構成されるダイオードと、前記ダイオードを短絡する導体と、を有することを特徴とするフォト・トライアック。
IPC (2件)：
引用特許：
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