特許

J-GLOBAL ID：200903014798810231

半導体基板中に絶縁領域を形成する方法

発明者： 大森 茂
出願人/特許権者： モトローラ株式会社
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170695
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357665
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：

【要約】【課題】半導体基板内に絶縁性の高い絶縁層を形成する安価でかつプロセス数を軽減した方法を提供する。【解決手段】半導体基板11上にマスク・パターン14を形成し、基板上部から酸素イオン15を注入する。直接基板内へ注入する酸素イオン16bは、基板深部に達し、マスク・パターンを介して注入された酸素イオン16aは基板表面近傍に位置する。イオン注入後熱処理を行い二酸化シリコン層を形成し、絶縁層となる。酸素イオン16b上部の単結晶シリコン領域は、回路素子領域となり、次工程において、所望の回路が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にマスク・パターンを形成する段階と、前記半導体基板上部から酸素イオンを注入する段階と、酸素イオンの注入された前記半導体基板を熱処理することにより、前記半導体基板中に酸化層を形成する段階と、から構成されることを特徴とする半導体基板中に絶縁領域を形成する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/12

FI (4件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 27/12 E ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/76 D

Fターム (3件)：

5F032AA07 ,  5F032DA60 ,  5F032DA74