特許
J-GLOBAL ID：200903014807646865
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160834
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032060
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 製品のコストを高くすることなく、双方向スイッチ回路を有する半導体集積回路装置を小形にする。【構成】 2個のMOS・FET部3a,3bを双方の寄生ダイオードが逆方向に接続されるように直列接続してなる双方向スイッチ回路において、2個のMOS・FET部3a,3bの各々を、複数の縦形構造のMOS・FETによって構成するとともに、2個のMOS・FET部3a,3bのドレイン領域を共通とすることによって同一の半導体基板に設け、その半導体基板を1つのダイパッド上に実装した。
請求項（抜粋）：
2個のMIS・FET部を双方の寄生ダイオードが逆方向に接続されるように直列接続してなる双方向スイッチ回路を有する半導体集積回路装置であって、前記2個のMIS・FET部の各々を、半導体基板の主面に形成されたソース領域と、前記ソース領域に隣接するように前記半導体基板の主面に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に設けられたゲート電極と、前記半導体基板の裏面に形成されたドレイン領域とを有する1または2以上の縦形構造のMIS・FETによって構成するとともに、前記2個のMIS・FET部のドレイン領域を共通とすることによって同一の半導体基板に設け、その同一の半導体基板を1つのドレイン電極部上に実装してなることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 25/04
, H01L 25/18
, H01L 29/43
H01L 29/78 321 K
, H01L 25/04 Z
, H01L 29/62 G
