特許

J-GLOBAL ID：200903014812632511

面内に優先配向を有する薄膜の作成方法

発明者： 亀井 雅之
出願人/特許権者： エイ・ジー・テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225679
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078527
出願日： 1993年09月10日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【構成】薄膜を形成する基体6近傍に、プラズマ密度が109 /cm3 以上の高密度プラズマ9を、かつ/または5gauss以上の磁場を形成する。【効果】非晶質、あるいは多結晶の基体6上に面内に優先配向を有する薄膜、特にITO薄膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

プラズマ密度が109 /cm3 以上の高密度プラズマを、薄膜を形成する基体近傍に形成し、薄膜となる粒子のイオン化率を高めて成膜を行うことを特徴とする面内に優先配向を有する薄膜の作成方法。

IPC (3件)：

H01B 13/00 503 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/32