特許
J-GLOBAL ID：200903014823550070
光源装置並びにそれを用いた材料製造装置および材料製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-330914
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163406
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体などの材料を均一かつ良好に結晶化させ、また、安定性,信頼性を高く結晶化させることが可能である。【構成】 半導体層2のエネルギーバンドギャップEgよりもかなり大きな光エネルギー(hν1)の光と、光エネルギー(hν1)よりも小さいが半導体層2のエネルギーバンドギャップEgとほぼ同じかEgよりも大きな光エネルギー(hν2)の光との2種類の光(hν1,hν2)を光源装置から出射する。この場合、光エネルギー(hν1)の光により、半導体層2の光照射側の最表面を溶融できる。また、光エネルギー(hν2)の光は、半導体層2の内部にまで透過できるため、その波長(ν2)と半導体層2の膜厚とを適宜調整して、基板1の近傍まで半導体層2内部を溶融できる一方で、基板1自体には熱的ダメージを与えずに済む。
請求項（抜粋）：
所定の材料を光照射して該材料を溶融し結晶化するのに用いられる光源装置であって、前記材料のエネルギーバンドギャップよりも大きな複数種類の光エネルギーの光を出射するようになっていることを特徴とする光源装置。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/26
, H01L 21/268
, H01S 3/00
