特許
J-GLOBAL ID：200903014824356099
プラスチツク成形体の部分めつき方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-225792
公開番号（公開出願番号）：特開平5-065687
出願日： 1991年09月05日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】 生産効率を低下させることなく、電解めっき層を形成可能なプラスッチック成形体の部分めっき方法を実現すること。【構成】 プラスチック製の成形体10に対し、粗面化工程及び活性化工程を行って、外周面全体にパラジウムを付着させた後に、無電解Niめっき工程を行う。この無電解めっき層4に対し、レーザを利用して、イニシャル等の装飾加工部2をくり抜いて、成形体10の表面を露出させる。この状態で、電解めっき工程を行って、電解Cuめっき層5,電解Niめっき層6および電解Auめっき層7を形成するが、これらの層は、無電解Ni層4が切り抜きされた装飾加工部2には成長しない。
請求項（抜粋）：
所定形状をしたプラスチック成形体をエッチング液に浸漬して、その外周面を粗面化する粗面化工程と、粗面化された前記成形体を活性化液に浸漬して、その外周面に金属触媒核を付着させる活性化工程と、前記金属触媒核を付着させた前記成形体を無電解めっき液に浸漬して、その外周面に無電解めっき層を形成する無電解めっき工程と、前記成形体の外周面に形成された前記無電解めっき層をレーザを利用して部分的にくり抜いて、その部分の前記成形体表面を露出させるレーザ加工工程と、前記成形体に対し、その外周面に残された前記無電解めっき層を利用して電解めっきを施し、この無電解めっき層の上に電解めっき層を形成する電解めっき工程とを有することを特徴とするプラスチック成形体の部分めっき方法。
IPC (2件)：
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