特許

J-GLOBAL ID：200903014825224080

2層構造の銅拡散防止膜の形成方法

発明者： ソウン スーン チュン ,  チョン ウーク パク ,  ドン ウォン キム ,  ウォン ジュン リー ,  サ キュン ラ ,  セウン ユン リー ,  キュン イル リー
出願人/特許権者： エルジー セミコン カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 笹島 富二雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339315
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186157
出願日： 1996年12月19日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、半導体製造時の基板と銅配線用銅膜間に2層構造の障壁金属を銅拡散防止膜として形成し、銅の拡散性を良好に抑制し得る2層構造の銅拡散防止膜形成方法を提供しようとするものである。【解決手段】半導体素子の製造時に基板100と銅配線用銅膜106間で、第1障壁金属層102を形成し、次いで、該第1障壁金属層102上に銅合金の第2障壁金属層104を積層形成する。

請求項（抜粋）：

銅の拡散を抑制する2層構造の銅拡散防止膜を形成する方法であって、前記基板と銅膜間で、第1障壁金属層を形成し、次いで、該第1障壁金属層上に銅合金材質の第2障壁金属層を形成することを特徴とする2層構造の銅拡散防止膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-026672   出願人：日本電気株式会社