特許
J-GLOBAL ID：200903014832200669
SOI基板の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-021333
公開番号（公開出願番号）：特開平11-219914
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板に注入された酸素イオンによって形成されるSi基板中の酸素原子層の分布が浅く、不均一で、しかも注入速度が遅いという問題があった。【解決手段】 基板ホルダ7の上面に載置したSi基板9の周縁部を、その全周に渡って覆う筒状のマスク18を配置する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板にバイアス電圧を印加することにより酸素プラズマ中の酸素イオンを前記シリコン基板に向けて加速させ、前記酸素イオンを前記シリコン基板に注入し前記シリコン基板内に絶縁層を形成する方法において、前記シリコン基板の周縁部の少なくとも一部にマスクを施して前記酸素イオンの注入を行うことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 J
, H01L 27/12 E
