特許

J-GLOBAL ID：200903014833673838

量子井戸を用いた光吸収制御半導体装置

発明者： 伊藤 寛 ,  鈴木 孝昌
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-100519
公開番号（公開出願番号）：特開平5-273505
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 光スペクトルの変調効率の高い光吸収制御半導体装置を実現。【構成】 光吸収制御半導体領域Aに接合して光導波層12が形成。光導波層12を伝搬する光は領域Aに漏れる。領域Aは非対称3重量子井戸で構成。3つの量子井戸Q1、Q2、Q3の幅及び各障壁の幅は伝導帯における量子準位が整合された共鳴状態において各量子井戸における電子の波動関数が相互作用を有する程度に形成。且つ、各量子井戸の幅及び物質は、電界を印加しない状態又は適切な電界を接合に垂直に印加した状態で、伝導帯においてのみ各量子井戸における量子準位が整合された共鳴状態となるように設定。接合に垂直な方向の電界成分を制御して光吸収スペクトル特性を変化させ、漏れたビームを吸収。電圧制御により光スペクトルが可変。各種変調器に応用できる。

請求項（抜粋）：

光導波路を伝搬する光を所定の吸収スペクトル特性で吸収させて伝搬光の特性を変化させる光吸収制御半導体装置において、光を導く光導波層と、光吸収スペクトル特性を変化できる光吸収制御半導体領域とを接合させ、前記光導波層を伝搬する光が前記光吸収制御半導体領域に漏れるように構成し、前記光吸収制御半導体領域は、バンドギャップの異なる異種半導体の接合により形成され、エネルギーダイヤグラムにおいてエネルギー障壁により囲まれた量子準位を有する少なくとも3つの量子井戸から成り、各量子井戸の幅及び各障壁の幅は、各量子井戸において伝導帯または価電子帯のいずれか一方のバンドにおける量子準位が整合された共鳴状態において各量子井戸における電子の波動関数が相互作用を有する程度に形成され、且つ、各量子井戸の幅及び物質は、電界を印加しない状態又は適切な電界を前記接合に垂直に印加した状態で、一方のバンドにおいてのみ、そのバンドにおける各量子井戸における量子準位が整合された共鳴状態となるように設定されており、電界の前記接合に垂直な方向の成分を制御することにより光吸収を変化させる装置で構成された量子井戸を用いた光吸収制御半導体装置。