特許

J-GLOBAL ID：200903014835077892

パターン形成方法

発明者： 宮川 治 ,  小熊 英樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-075143
公開番号（公開出願番号）：特開2006-261307
出願日： 2005年03月16日
公開日（公表日）： 2006年09月28日
要約：

【課題】 微細なパターン形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11上にTEOS膜12、ポリシリコン膜13を順に形成する工程と、TEOS膜12上にレジスト膜14をパターニングして第1のパターン15を形成する工程と、第1のパターン15をエッチングしてライン幅を細くする工程と、得られた第1のパターン16をマスクとしてポリシリコン膜13をエッチングして第2のパターン17を形成する工程と、第2のパターン17を被覆するように基板11全面に所定の厚さのBSG膜18を形成する工程と、第2のパターン17のライン間の隙間にポリシリコン膜19を埋め込む工程と、ポリシリコン膜19の両側のBSG膜18およびTEOS膜12をエッチングして第3のパターン20を形成する工程と、を具備する。【選択図】 図9

請求項（抜粋）：

基板の主面に第1および第2の膜を順に形成する工程と、 前記第2の膜上にレジスト膜を形成し、前記レジスト膜をパターニングして第1のパターンを形成する工程と、 前記第1のパターンをエッチングして、前記第1のパターンのラインの幅を細くする工程と、 前記第1のパターンをマスクとして前記第2の膜をエッチングし、前記第1のパターンが転写された第2のパターンを形成する工程と、 前記第2のパターンを被覆するように前記基板全面に所定の厚さの第3の膜を形成する工程と、 前記被覆された第2のパターンのラインの隙間に第4の膜を埋め込む工程と、 前記埋め込まれた第4の膜の両側の前記第3の膜、および前記第3の膜の下層にある前記第1の膜をエッチングして第3のパターンを形成する工程と、 を具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L21/28 E ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/88 C

Fターム (22件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH14 ,  5F033HH04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033VV06 ,  5F033XX03 ,  5F046AA20 ,  5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第6063688号明細書(FIG.1-FIG.12)
  
• 米国特許第6638441号明細書(FIG.1)